AIXTRON SE NA O.N. Profil

EQS-Media / 23.11.2023 / 13:15 CET/CEST AIXTRON startet Bau des neuen Innovationszentrums Der führende Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie investiert am Standort Herzogenrath rund 100 Millionen Euro. Damit schafft AIXTRON eine wichtige Grundlage für das weitere erfolgreiche Wachstum. Herzogenrath, 23. November 2023 – AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) hat offiziell mit dem Bau des neuen Innovationszentrums am Standort Herzogenrath begonnen. Der...

EQS-Media / 21.11.2023 / 08:14 CET/CEST AIXTRON G10-GaN unterstützt BelGaN bei GaN-Geschäftsausbau Herzogenrath, 21. November 2023 - AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ermöglicht es der Halbleiter-Foundry BelGaN, ihr Geschäft auf den wachsenden GaN-Markt auszuweiten und damit die Verbreitung von GaN-Technologie weiter voranzutreiben. Für diesen wichtigen strategischen Schritt setzt BelGaN auf AIXTRONs neue G10-GaN-Anlage, die sich durch eine erstklassige Leistung, ein völlig neues,...

EQS-News: AIXTRON SE / Schlagwort(e): Quartalsergebnis/9-Monatszahlen AIXTRON weiter voll auf Erfolgskurs 26.10.2023 / 07:30 CET/CEST Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich. AIXTRON weiter voll auf Erfolgskurs Prognose für 2023 vollumfänglich bestätigt / SiC- und GaN-Leistungselektronik stärkste Nachfragetreiber / Neue G10-GaN komplettiert neue Anlagengeneration mit herausragendem Erfolg / Umsatz, Bruttomarge und Gewinn gegenüber Vorjahr deutlich...

EQS-Media / 18.09.2023 / 08:30 CET/CEST GlobiTech setzt auf AIXTRON für Expansion in den SiC-Markt AIXTRONs G10-SiC ermöglicht führender Foundry den Eintritt in die Großserienproduktion für die SiC-Epitaxie. Herzogenrath, 18. September 2023 – AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) unterstützt die Foundry GlobiTech Inc. ("GlobiTech") dabei, ihr Geschäft auf Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxie auszuweiten. Die Grundlage hierfür bildet AIXTRONs neue G10-SiC-Anlage: Sie ermöglicht es...

EQS-Media / 06.09.2023 / 12:34 CET/CEST AIXTRON präsentiert neue G10-GaN für die Leistungselektronik Die Anlage bietet die beste Performance ihrer Klasse und ein kompaktes Cluster für die Großserienfertigung von GaN-basierten Leistungs- und HF-Bauelementen. Herzogenrath, 06. September 2023 – AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) bringt eine neue Cluster-Lösung für die Herstellung von Leistungs- und Hochfrequenz (HF)-Bauelementen auf Basis von Galliumnitrid (GaN) auf den Markt. Die...

EQS-News: AIXTRON SE / Schlagwort(e): Halbjahresergebnis/Quartalsergebnis AIXTRON erhöht Wachstumsprognose 2023 27.07.2023 / 07:30 CET/CEST Für den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich. AIXTRON erhöht Wachstumsprognose 2023 Höchster Auftragseingang seit 2011 / Effiziente Leistungselektronik auf Basis von Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) treiben erfolgreiche Dynamik weiter an / Umsatz und Gewinn erheblich gesteigert Herzogenrath, 27. Juli 2023 –...

EQS-Media / 21.06.2023 / 13:03 CET/CEST AIXTRON gewinnt gleich zweimal Deutschen IR-Preis Der Spezialanlagenbauer wird in der Kategorie „Beste IR-Arbeit eines MDAX-Unternehmens“ ausgezeichnet. AIXTRON VP IR Guido Pickert erreicht den ersten Platz in der Kategorie „Beste IR-Arbeit eines MDAX IR Professionals“ Herzogenrath, 21. Juni 2023 – AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) hat es gleich in zwei Kategorien geschafft, den Deutschen Investor Relations Preis zu gewinnen. Der...